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Si5905BDC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
I D = 3.3 A
T A = 125 °C
0.05
T A = 25 °C
1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0.7
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Forward Diode Voltage vs. Temperature
50
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
40
0.6
I D = 250 μ A
30
0.5
20
0.4
10
0.3
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.0001 0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
10
Limited
b y R DS(on) *
1 ms
Time (s)
Single Pulse Power
1
0.1
T A = 25 °C
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
0.01
Single P u lse
B V DSS Limited
0.01
0.1
1
10
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 74650
S10-0547-Rev. B, 08-Mar-10
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